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| Artikel-Nr.: 822EL-2484896 Herst.-Nr.: STGYA50M120DF3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = Max. 247 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 535 W | Gehäusegröße: | Max. 247 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2484896, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGYA50M120DF3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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| | Lagerstand | | | Versand | | | | | | | | | | | | | | | | € 7,90* | ab € 6,78* | € 12,80* | | | | Lager 822 | | | | | | € 8,95* | ab € 6,97* | € 12,90* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 822 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Lagerstand: Lager 822 | | Versand: Lager 822 | | | | | | Bestellwert | Versand | ab € 0,00* | € 8,95* | | ab € 85,00* | Frei Haus |
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