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| Artikel-Nr.:
822EL-2520315 Herst.-Nr.:
SQJQ186E-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 245 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 245 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 8 x 8L | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2520315, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJQ186ET1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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