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Bourns IGBT / 5 A ±30V max. , 600 V 82 W TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2533500
Hersteller:
     Bourns
Herst.-Nr.:
     BIDD05N60T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 82 W
Gehäusegröße = TO-252
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
5 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Verlustleistung max.:
82 W
Gehäusegröße:
TO-252
Weitere Suchbegriffe: 2533500, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bourns, BIDD05N60T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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