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Bourns IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 416 W TO-247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2533509
Hersteller:
     Bourns
Herst.-Nr.:
     BIDW50N65T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 416 W
Konfiguration = Einfachdiode
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
416 W
Konfiguration:
Einfachdiode
Weitere Suchbegriffe: 2533509, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bourns, BIDW50N65T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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