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| Artikel-Nr.:
822EL-2539829 Herst.-Nr.:
FP200R12N3T7B11BPSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 200 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 20 mW |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2539829, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP200R12N3T7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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