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Infineon IGBT ±20V max., 1200 V 355 W AG-ECONO2B-311


Menge:  Paket  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580900
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS75R12KT3BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 355 W
Gehäusegröße = AG-ECONO2B-311
Weitere Informationen:
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
355 W
Gehäusegröße:
AG-ECONO2B-311
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2580900, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS75R12KT3BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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