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| Artikel-Nr.: 822EL-2799975 Herst.-Nr.: SIS4634LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, 2799975, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIS4634LDNT1GE3 |
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