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| Artikel-Nr.:
822EL-5411095 Herst.-Nr.:
IRFPG50PBF EAN/GTIN:
5059040893252 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 190 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 190 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 190 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 5411095, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFPG50PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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