Vishay IRFI630GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 43 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor