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| Artikel-Nr.:
822EL-5429872 Herst.-Nr.:
IRFPE30PBF EAN/GTIN:
5059040672741 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 78 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 78 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-247ac, 5429872, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFPE30PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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