Vishay IRFR224PBF N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor