|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-5431667 Herst.-Nr.:
IRFR014PBF EAN/GTIN:
5059040894341 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 11 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 11 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 5431667, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFR014PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |