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onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin


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onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
Artikel-Nr.:
     822EL-5450258
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MJD45H11G
EAN/GTIN:
     5059042864700
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 90 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
-8 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
–80 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Verlustleistung max.:
1,75 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Arbeitsfrequenz max.:
90 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, 5450258, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD45H11G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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