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STMicroelectronics MDmesh STP11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220

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Produktinformationen

STMicroelectronics MDmesh STP11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220

Artikel-Nr.:
822EL-6875235

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STP11NM80

EAN/GTIN:
5059042984163

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 43,6 nC bei 10 V
Serie = MDmesh

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	11 A
Drain-Source-Spannung max.:	800 V
Gehäusegröße:	TO-220
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	400 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Gate-Schwellenspannung min.:	3V
Verlustleistung max.:	150 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	43,6 nC bei 10 V
Serie:	MDmesh

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Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 11a, 6875235, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP11NM80, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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