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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP8NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 6,5 A 160 W, 3-Pin TO-220

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Produktinformationen

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP8NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 6,5 A 160 W, 3-Pin TO-220

Artikel-Nr.:
822EL-6875285

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STP8NK100Z

EAN/GTIN:
5059042376050

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,85 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 73 nC @ 10 V
Serie = MDmesh, SuperMESH

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	6,5 A
Drain-Source-Spannung max.:	1000 V
Gehäusegröße:	TO-220
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	1,85 O
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.:	3V
Verlustleistung max.:	160 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	73 nC @ 10 V
Serie:	MDmesh, SuperMESH

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Transistor, Z-Diode, Zenerdiode, z-diode tht, z diode, stm mosfet, 6875285, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP8NK100Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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