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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP7NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin TO-220


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Produktinformationen
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP7NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin TO-220
Artikel-Nr.:
     822EL-6875346
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP7NK80Z
EAN/GTIN:
     5059042985061
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 40 nC @ 10 V
Serie = MDmesh, SuperMESH

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
5,2 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
1,8 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
125 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Serie:
MDmesh, SuperMESH
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, 6875346, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP7NK80Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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