| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-7082481 Herst.-Nr.: BSS138DW-7-F EAN/GTIN: 5059043959955 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 200 mA Drain-Source-Spannung max. = 50 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 3,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V Verlustleistung max. = 200 mW Transistor-Konfiguration = Isoliert Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Höhe = 1mm
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Höhe: | 1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 7082481, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, BSS138DW7F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |