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| Artikel-Nr.:
822EL-7082535 Herst.-Nr.:
ZXMN2F30FHTA EAN/GTIN:
5059043157573 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4.9 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 1.4 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 4,8 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4.9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 1.4 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 4,8 nC @ 4,5 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet sot-23, 7082535, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN2F30FHTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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