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| Artikel-Nr.:
822EL-7082614 Herst.-Nr.:
ZXMN2A01E6TA EAN/GTIN:
5059043955131 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3.1 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 225 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 1.7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 3 nC @ 4,5 V
Höhe = 1.3mm
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3.1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 225 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 1.7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 3 nC @ 4,5 V | Höhe: | 1.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7082614, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN2A01E6TA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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