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| Artikel-Nr.:
822EL-7103263 Herst.-Nr.:
SI2325DS-T1-E3 EAN/GTIN:
5059040886902 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 530 mA
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 750 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 530 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 750 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7103263, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2325DST1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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