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| Artikel-Nr.: 822EL-7103266 Herst.-Nr.: SI2328DS-T1-E3 EAN/GTIN: 5059040974081 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1.15 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 730 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 3,3 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1.15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 250 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 730 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 3,3 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7103266, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2328DST1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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