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Infineon HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23


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Infineon HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     822EL-7259341
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLML0060TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043877228
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 92 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 2,5 nC @ 4,5 V
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
2,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
92 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
1,25 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
2,5 nC @ 4,5 V
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-23, 7259341, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML0060TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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