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| Artikel-Nr.:
822EL-7259357 Herst.-Nr.:
IRLML2060TRPBF EAN/GTIN:
5059043874326 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 480 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.02mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 480 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-23, 7259357, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML2060TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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