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Infineon HEXFET IRFML8244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5,8 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23


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Infineon HEXFET IRFML8244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5,8 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     822EL-7377219
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFML8244TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043071329
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
5,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
25 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
41 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.35V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.35V
Verlustleistung max.:
1,25 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd-transistor sot23, smd transistor, mosfet infineon, 7377219, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFML8244TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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