| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-7514143 Herst.-Nr.: DMN2075U-7 EAN/GTIN: 5059045997610 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,2 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Verlustleistung max. = 800 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 7 nC @ 4,5 V Höhe = 1.1mm
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 800 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 7 nC @ 4,5 V | Höhe: | 1.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7514143, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2075U7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |