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Infineon CoolMOS C6 IPW60R190C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Infineon CoolMOS C6 IPW60R190C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247
Artikel-Nr.:
     822EL-7533074
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPW60R190C6FKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 151 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 63 nC @ 10 V
Höhe = 21.1mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
190 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
151 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
63 nC @ 10 V
Höhe:
21.1mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 20a, 7533074, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R190C6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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