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| Artikel-Nr.: 822EL-7804770 Herst.-Nr.: NTS4409NT1G EAN/GTIN: 5059042793420 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 700 mA Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V Verlustleistung max. = 330 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Transistor-Werkstoff = Si Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 25V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 700 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 330 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, on semiconductor mosfet, 7804770, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTS4409NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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