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| Artikel-Nr.:
822EL-7878995 Herst.-Nr.:
SI9945BDY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040677142 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 72 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 72 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3,1 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7878995, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI9945BDYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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