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| Artikel-Nr.: 822EL-7879020 Herst.-Nr.: SI4532CDY-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040840508 |
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| Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A, 6 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ, 140 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 2,78 W Transistor-Konfiguration = Isoliert Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,3 A, 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mO, 140 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,78 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7879020, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4532CDYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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