|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-7879024 Herst.-Nr.:
SI1032R-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040673823 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SC-75
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 280 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SC-75 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 280 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +6 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 7879024, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1032RT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |