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Vishay SI2318CDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 5,6 A 2,1 W, 3-Pin SOT-23


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Vishay SI2318CDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 5,6 A 2,1 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     822EL-7879036
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2318CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040677326
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 51 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 2,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
5,6 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
51 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1.2V
Verlustleistung max.:
2,1 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
1.4mm
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet sot23-3, 7879036, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2318CDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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