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Vishay 2N7002K-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23


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Vishay 2N7002K-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     822EL-7879058
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     2N7002K-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040842892
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
300 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
2 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
350 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
1.4mm
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, vishay diode, smd transistor, diode sot-23, 7879058, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, 2N7002KT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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