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IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

Menge:

Packung

Produktinformationen

IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

Artikel-Nr.:
822EL-7917425

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXGP20N120B3

EAN/GTIN:
5059041290623

Suchbegriffe:

IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 180 W
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 20kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.66 x 4.83 x 16mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

IGBTs, diskret, IXYS

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200 V
Gate-Source Spannung max.:	±20V
Verlustleistung max.:	180 W
Gehäusegröße:	TO-220
Montage-Typ:	THT
Channel-Typ:	N
Pinanzahl:	3
Schaltgeschwindigkeit:	20kHz
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Abmessungen:	10.66 x 4.83 x 16mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220, 7917425, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXGP20N120B3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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