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STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

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Produktinformationen

STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

Artikel-Nr.:
822EL-7957041

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STGB10NC60HDT4

EAN/GTIN:
5059042108668

Suchbegriffe:

IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 65 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.4 x 9.35 x 4.6mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	10 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	600 V
Gate-Source Spannung max.:	±20V
Verlustleistung max.:	65 W
Gehäusegröße:	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:	SMD
Channel-Typ:	N
Pinanzahl:	3
Schaltgeschwindigkeit:	1MHz
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Abmessungen:	10.4 x 9.35 x 4.6mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 7957041, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGB10NC60HDT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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