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| Artikel-Nr.:
822EL-8024366 Herst.-Nr.:
IXFH22N60P3 EAN/GTIN:
5059041172554 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.3mm
Höhe = 21.46mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 360 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 500 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 5.3mm | Höhe: | 21.46mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, transistor to-247, 8024366, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH22N60P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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