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| Artikel-Nr.:
822EL-8123041 Herst.-Nr.:
SI1070X-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040792340 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SC-89-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 236 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.2mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SC-89-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 140 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 236 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 1.2mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8123041, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1070XT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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