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Vishay SI2377EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-8123145
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2377EDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040791978
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 165 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1.02mm

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
3,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
165 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
0.4V
Verlustleistung max.:
1,8 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Höhe:
1.02mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot23, 8123145, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2377EDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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