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| Artikel-Nr.:
822EL-8123230 Herst.-Nr.:
SI4564DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040792265 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 7,2 A; 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ, 28 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 3,1 W, 3,2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 7,2 A; 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 mO, 28 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 3,1 W, 3,2 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, -16 V, +16 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8123230, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4564DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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