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| Artikel-Nr.:
822EL-8130714 Herst.-Nr.:
IRLL110TRPBF EAN/GTIN:
5059040756045 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 760 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 6,1 nC bei 5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 760 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 6,1 nC bei 5 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 8130714, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRLL110TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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