|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8152730 Herst.-Nr.:
IRFL9110TRPBF EAN/GTIN:
5059040645950 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 690 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 3.7mm
Höhe = 1.8mm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 690 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.7mm | Höhe: | 1.8mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 8152730, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFL9110TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |