|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8181302 Herst.-Nr.:
SI4909DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040808379 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 34 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 3,2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 34 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 3,2 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8181302, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4909DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |