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| Artikel-Nr.:
822EL-8222176 Herst.-Nr.:
BSS127SSN-7 EAN/GTIN:
5059043375915 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 mA
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = SOT-346
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1.3mm
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 70 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | SOT-346 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Verlustleistung max.: | 1,25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 1.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8222176, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, BSS127SSN7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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