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| Artikel-Nr.:
822EL-8222523 Herst.-Nr.:
DMG1029SV-7 EAN/GTIN:
5059043369747 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 280 mA, 620 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 Ω, 6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 280 mA, 620 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,7 O, 6 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 1 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8222523, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG1029SV7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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