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| Artikel-Nr.:
822EL-8222542 Herst.-Nr.:
DMN2016UTS-13 EAN/GTIN:
5059043113517 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSSOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 16,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 880 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSSOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 16,5 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 880 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 8222542, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2016UTS13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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