|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8231833 Herst.-Nr.:
ZVNL110ASTZ EAN/GTIN:
5059043780344 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 320 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 700 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 320 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-92, 8231833, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVNL110ASTZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |