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| Artikel-Nr.:
822EL-8267807 Herst.-Nr.:
RUF015N02TL EAN/GTIN:
5059043747149 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TUMT3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 310 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 800 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.77mm
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TUMT3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 310 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 800 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.77mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, rohm mosfet, smd transistor, 8267807, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RUF015N02TL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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