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| Artikel-Nr.:
822EL-8270480 Herst.-Nr.:
DMN3190LDW-7 EAN/GTIN:
5059043879604 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 335 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.8V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 335 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.8V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 1,3 a, 8270480, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN3190LDW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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