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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 366 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal


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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 366 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Artikel-Nr.:
     822EL-8427905
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NGTB40N65FL2WG
EAN/GTIN:
     5059042368208
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 366 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.26 x 5.3 x 21.08mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

IGBT, diskret, ON Semiconductor. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
366 W
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, 8427905, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NGTB40N65FL2WG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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