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| Artikel-Nr.:
822EL-8648855 Herst.-Nr.:
FGH40T120SMD EAN/GTIN:
5059042649765 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 555 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±25V | Verlustleistung max.: | 555 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 8648855, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH40T120SMD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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