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Infineon HEXFET IRF1405ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 150 A 230 W, 3-Pin TO-220AB


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Infineon HEXFET IRF1405ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 150 A 230 W, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     822EL-8655734
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF1405ZPBF
EAN/GTIN:
     5059043610429
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 230 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
150 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
4,9 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
230 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 8655734, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF1405ZPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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